半导体是介于导电和不导电之间的一种材料,是一种可用于制造半导体器件和集成电路的电子材料。半导体材料在当今社会被广泛使用。让我们简单介绍一下半导体材料的应用。
半导体材料的应用
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求,包括单晶片、研磨片、抛光片、薄膜等。不同形式的半导体材料需要不同的加工技术。常用的半导体材料制备工艺包括提纯、单晶制备和薄膜外延生长。
半导体材料所有的半导体材料都需要提纯。要求的纯度高于6 "9 ",最高可达11 "9 "。有两种净化方法。一种是在不改变材料化学成分的情况下进行提纯,这种方法称为物理提纯。另一种是将元素转化为化合物进行纯化,然后将纯化的化合物还原为元素,这称为化学纯化。物理提纯方法包括真空蒸发、区域提纯、拉晶提纯等。区域净化使用最多。化学净化的主要方法包括电解、络合、萃取、精馏等。整流是最广泛使用的方法。因为每种方法都有一定的局限性,所以常常将几种纯化方法结合起来以获得合格的材料。
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延晶片上制造的。大块半导体单晶是由熔体生长产生的。直拉法是应用最广泛的方法。80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶都是用这种方法生产的,硅单晶的最大直径达到300毫米。在熔体中引入磁场的直拉法被称为磁控拉晶法,通过这种方法可以生产出高均匀性的硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂,称为液封提拉法,通过该方法制备砷化镓、磷化镓、磷化铟等减压单晶。悬浮区熔融法的熔体不与容器接触,用这种方法生长高纯硅单晶。采用水平区熔法生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶,垂直定向结晶法用于制备碲化镉和砷化镓。然后,对通过各种方法生产的块状单晶进行全部或部分晶体取向、轧制、基准面、切片、研磨、倒角、抛光、蚀刻、清洗、检测、封装等工艺,以提供相应的晶片。
在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延方法包括气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产主要采用化学气相外延,其次是液相外延。金属有机化合物的气相外延和分子束外延用于制备微结构,如量子阱和超晶格。
非晶、微晶和多晶薄膜主要通过不同类型的化学气相沉积、磁控溅射和其他方法在玻璃、陶瓷和金属基底上制成。
这里向大家介绍半导体材料应用的相关信息。我希望这篇文章对你有帮助。如果你还有不明白的地方,我们会尽快给你答复。
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半导体材料的应用
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求,包括单晶片、研磨片、抛光片、薄膜等。不同形式的半导体材料需要不同的加工技术。常用的半导体材料制备工艺包括提纯、单晶制备和薄膜外延生长。
半导体材料所有的半导体材料都需要提纯。要求的纯度高于6 "9 ",最高可达11 "9 "。有两种净化方法。一种是在不改变材料化学成分的情况下进行提纯,这种方法称为物理提纯。另一种是将元素转化为化合物进行纯化,然后将纯化的化合物还原为元素,这称为化学纯化。物理提纯方法包括真空蒸发、区域提纯、拉晶提纯等。区域净化使用最多。化学净化的主要方法包括电解、络合、萃取、精馏等。整流是最广泛使用的方法。因为每种方法都有一定的局限性,所以常常将几种纯化方法结合起来以获得合格的材料。
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延晶片上制造的。大块半导体单晶是由熔体生长产生的。直拉法是应用最广泛的方法。80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶都是用这种方法生产的,硅单晶的最大直径达到300毫米。在熔体中引入磁场的直拉法被称为磁控拉晶法,通过这种方法可以生产出高均匀性的硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂,称为液封提拉法,通过该方法制备砷化镓、磷化镓、磷化铟等减压单晶。悬浮区熔融法的熔体不与容器接触,用这种方法生长高纯硅单晶。采用水平区熔法生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶,垂直定向结晶法用于制备碲化镉和砷化镓。然后,对通过各种方法生产的块状单晶进行全部或部分晶体取向、轧制、基准面、切片、研磨、倒角、抛光、蚀刻、清洗、检测、封装等工艺,以提供相应的晶片。
在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延方法包括气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产主要采用化学气相外延,其次是液相外延。金属有机化合物的气相外延和分子束外延用于制备微结构,如量子阱和超晶格。
非晶、微晶和多晶薄膜主要通过不同类型的化学气相沉积、磁控溅射和其他方法在玻璃、陶瓷和金属基底上制成。
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