《来自熊锐立的回答：》
常用二极管参数:05Z6.2Y硅齐纳二极管Vz=6 ~ 6.35V伏，Pzm=500毫瓦，05Z7.5Y硅齐纳二极管Vz=7.34 ~ 7.70V伏，Pzm=500毫瓦，05Z13X硅齐纳二极管Vz=12.4 ~ 13.1V伏，Pzm=500毫瓦。05Z15Y硅齐纳二极管vz=14.4 ~ 15.15 v，pzm=500 MW，05 z18y硅齐纳二极管vz=17.55 ~ 18.45 v，pzm=500 MW，1n4001硅整流二极管50v，1a，(IR=5ua，VF=1v，ifs=50a) 1n4002硅整流二极管100V，1A，1N4003硅整流二极管200V，1A，1n4002 1N4148开关二极管75V，4PF，Ir=25nA，Vf=1V，1N5391硅整流二极管50v，1.5a，(IR=10ua，VF=1.4v，ifs=50a)
《来自云嘉澍的回答：》
1.发光二极管芯片正向工作电流If:指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中，根据需要，中频应低于0.6中频。2.正向工作电压VF为2。发光二极管芯片:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下获得的。通常在中频=20mA时测量。发光二极管的正向工作电压VF为1.4-3V。当外界温度升高时，VF会下降。3.伏安特性:发光二极管的电压和电流之间的关系。当直流电压小于某个值(称为阈值)时，电流极小，不会发光。当电压超过一定值时，正向电流随电压快速增加并发光。4.发光强度四:发光二极管的发光强度通常指法线方向(圆柱形发光管的轴)的发光强度。当该方向的辐射强度为(1/683)W/sr时，发射1坎德拉(符号cd)。因为普通发光二极管的发光强度很小，所以通常用烛光来测量发光强度。5.发光二极管发光角度:-90-90° 6。光谱半宽δλ:表示发光二极管的光谱纯度。7.半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法线方向)之间的夹角。8.完整形式:根
《来自曹皓月的回答：》
[白发白光超亮发光二极管]型号:直径(mm)光强(mcd)功率(W)电压(V)工作电流(mA)峰值电流(mA)J 500 uw 4 LD R100 0 . 093 . 220100J 100 uw 4 LD R5 12000 0 . 093 . 220100J 500 w4 LD R5 8000 . 093 . 12080
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1.发光二极管芯片正向工作电流If:指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中，根据需要，中频应低于0.6中频。2.正向工作电压VF为2。发光二极管芯片:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下获得的。通常在中频=20mA时测量。发光二极管的正向工作电压VF为1.4-3V。当外界温度升高时，VF会下降。3.伏安特性:发光二极管的电压和电流之间的关系。当直流电压小于某个值(称为阈值)时，电流极小，不会发光。当电压超过一定值时，正向电流随电压快速增加并发光。4.发光强度四:发光二极管的发光强度通常指法线方向(圆柱形发光管的轴)的发光强度。当该方向的辐射强度为(1/683)W/sr时，发射1坎德拉(符号cd)。因为普通发光二极管的发光强度很小，所以通常用烛光来测量发光强度。5.发光二极管发光角度:-90-90° 6。光谱半宽δλ:表示发光二极管的光谱纯度。7.半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法线方向)之间的夹角。8.完整形式:根
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