《来自陶陶一个人的回答：》
你好，理论上，载流导体产生的磁场可以用毕奥的——萨伐尔定律来计算，但在大多数情况下，计算非常复杂和困难。因此，磁场通常是通过实验来测量的。
毕奥——萨伐尔定律:在空间的某一点上，由电流元素Id1产生的磁感应强度dB的大小与电流元素Id1的大小成正比，与从电流元素Id1到P点的位置矢量和电流元素Id1之间的角度的正弦成正比，与从电流元素Id1到P点的距离的平方成反比。
我希望我能帮助你。
《来自西红柿5037的回答：》
你好，螺线管磁场测量
该实验仪利用集成霍尔传感器测量通电螺线管中的DC电流与霍尔传感器输出电压之间的关系，证明霍尔电位差与螺线管中的磁感应强度成正比，并了解和熟悉霍尔效应的重要物理规律。以通电长直螺线管中心点磁感应强度的理论计算值为标准值，校准集成霍尔传感器的灵敏度；熟悉集成霍尔传感器的特点和应用；集成霍尔传感器用于测量通电螺线管中的磁感应强度与位置标尺之间的关系，并绘制磁感应强度与位置之间的关系图。从而学习用集成霍尔元件测量磁感应强度的方法。一、实验目的
霍尔元件的作用:如果电流I流过厚度为D的半导体片，并且磁场B垂直于半导体，则电子的流动方向被洛仑兹力改变。
薄板的两个横向面A、B之间应产生电位差。霍尔元件的这种现象称为霍尔效应。在垂直于电流I和磁场b的方向上产生的电势差被称为霍尔电势差，通常用U H表示.霍尔效应的数学表达式是:
U H=(R H) IB=K H IB (1) d
其中，氢是由半导体本身的电子迁移率决定的物理常数，称为霍尔系数。b是磁感应强度，I是流经霍尔元件的电流强度，K H是霍尔元件的灵敏度。
虽然从理论上讲，当霍尔元件没有磁场效应(即B=0)，U H=0时，用数字电压表测量时实际情况并不为零，这是由于半导体材料的不均匀结晶和电极的不对称所引起的附加电位差，称为残余电压。
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毕奥——萨伐尔定律:在空间的某一点上，由电流元素Id1产生的磁感应强度dB的大小与电流元素Id1的大小成正比，与从电流元素Id1到P点的位置矢量和电流元素Id1之间的角度的正弦成正比，与从电流元素Id1到P点的距离的平方成反比。
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该实验仪利用集成霍尔传感器测量通电螺线管中的DC电流与霍尔传感器输出电压之间的关系，证明霍尔电位差与螺线管中的磁感应强度成正比，并了解和熟悉霍尔效应的重要物理规律。以通电长直螺线管中心点磁感应强度的理论计算值为标准值，校准集成霍尔传感器的灵敏度；熟悉集成霍尔传感器的特点和应用；集成霍尔传感器用于测量通电螺线管中的磁感应强度与位置标尺之间的关系，并绘制磁感应强度与位置之间的关系图。从而学习用集成霍尔元件测量磁感应强度的方法。一、实验目的
霍尔元件的作用:如果电流I流过厚度为D的半导体片，并且磁场B垂直于半导体，则电子的流动方向被洛仑兹力改变。
薄板的两个横向面A、B之间应产生电位差。霍尔元件的这种现象称为霍尔效应。在垂直于电流I和磁场b的方向上产生的电势差被称为霍尔电势差，通常用U H表示.霍尔效应的数学表达式是:
U H=(R H) IB=K H IB (1) d
其中，氢是由半导体本身的电子迁移率决定的物理常数，称为霍尔系数。b是磁感应强度，I是流经霍尔元件的电流强度，K H是霍尔元件的灵敏度。
虽然从理论上讲，当霍尔元件没有磁场效应(即B=0)，U H=0时，用数字电压表测量时实际情况并不为零，这是由于半导体材料的不均匀结晶和电极的不对称所引起的附加电位差，称为残余电压。
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