《来自不如此前的回答:》
2N5401:2 -两个PN结的元件是三极管。该设备已在美国电子工业协会注册,注册号为5401。C9014之后的C950有多种参数可供选择。
《来自MISSBOBO籽的回答:》
9015是一种非常大量的PNP硅小三极管,它常用于无线电电路。参数如下:集电极电流IC:Max-100mA,集电极基极电压Vcbo:-50V,工作温度:-55°c至150°c
《来自Answer333的回答:》
1.DC参数
(1)集电极-基极反向饱和电流Icbo,当发射极开路(Ie=0)时,集电极反向电流当在基极和集电极之间施加一个规定的反向电压Vcb时,它只与温度有关,在一定温度下是一个常数,所以它被称为集电极-基极反向饱和电流。好三极管,Icbo很小,低功率锗管Icbo约为1~10微安,高功率锗管Icbo可达几毫安,而硅管Icbo很小,为毫微安。
(2)当集电极和发射极之间施加规定的反向电压Vce时,基极开路(Ib=0)时的集电极-发射极反向电流Iceo(穿透电流)集电极电流。Iceo约为Icbo的β倍,即Iceo=(1β) icbo icbo和Iceo受温度影响很大。它们是测量管子热稳定性的重要参数。数值越小,性能越稳定,低功率锗管的iceo比硅管大。
(3)当发射极-基极反向电流Iebo开路集电极在发射极和基极之间施加特定的反向电压时,发射极电流实际上是发射极结的反向饱和电流。
(4) DC电流放大系数β1(或hEF)这是指当没有交流信号通过公共发射连接方法输入时,集电极输出的DC电流与基极输入的DC电流之比,即:
β1=Ic/Ib
2.交流参数
(1)交流电流放大系数β(或hfe)指共射极连接中集电极输出电流△Ic的变化与基极输入电流△Ib的变化之比,即:
β=△Ic/△Ib
一般来说,晶体管的β约为10-200。如果β太小,电流放大效果很差。如果β太大,电流放大效应很大,但性能往往不稳定。
(2)共基交流放大系数α(或hfb)指使用共基连接时,发射极电流的△Ic与△Ie之比,即:
α=△Ic/△Ie
因为△IcBVceo,管子会破裂。
(5)集电极PcM的最大允许耗散功率设置Ic上的电流,温度将上升。当加热引起的参数变化不超过允许值时,集电器的最大耗散功率称为相变材料。管的实际耗散功率是集电极DC电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic。使用时,使用个人电脑
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2N5401:2 -两个PN结的元件是三极管。该设备已在美国电子工业协会注册,注册号为5401。C9014之后的C950有多种参数可供选择。
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9015是一种非常大量的PNP硅小三极管,它常用于无线电电路。参数如下:集电极电流IC:Max-100mA,集电极基极电压Vcbo:-50V,工作温度:-55°c至150°c
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1.DC参数
(1)集电极-基极反向饱和电流Icbo,当发射极开路(Ie=0)时,集电极反向电流当在基极和集电极之间施加一个规定的反向电压Vcb时,它只与温度有关,在一定温度下是一个常数,所以它被称为集电极-基极反向饱和电流。好三极管,Icbo很小,低功率锗管Icbo约为1~10微安,高功率锗管Icbo可达几毫安,而硅管Icbo很小,为毫微安。
(2)当集电极和发射极之间施加规定的反向电压Vce时,基极开路(Ib=0)时的集电极-发射极反向电流Iceo(穿透电流)集电极电流。Iceo约为Icbo的β倍,即Iceo=(1β) icbo icbo和Iceo受温度影响很大。它们是测量管子热稳定性的重要参数。数值越小,性能越稳定,低功率锗管的iceo比硅管大。
(3)当发射极-基极反向电流Iebo开路集电极在发射极和基极之间施加特定的反向电压时,发射极电流实际上是发射极结的反向饱和电流。
(4) DC电流放大系数β1(或hEF)这是指当没有交流信号通过公共发射连接方法输入时,集电极输出的DC电流与基极输入的DC电流之比,即:
β1=Ic/Ib
2.交流参数
(1)交流电流放大系数β(或hfe)指共射极连接中集电极输出电流△Ic的变化与基极输入电流△Ib的变化之比,即:
β=△Ic/△Ib
一般来说,晶体管的β约为10-200。如果β太小,电流放大效果很差。如果β太大,电流放大效应很大,但性能往往不稳定。
(2)共基交流放大系数α(或hfb)指使用共基连接时,发射极电流的△Ic与△Ie之比,即:
α=△Ic/△Ie
因为△IcBVceo,管子会破裂。
(5)集电极PcM的最大允许耗散功率设置Ic上的电流,温度将上升。当加热引起的参数变化不超过允许值时,集电器的最大耗散功率称为相变材料。管的实际耗散功率是集电极DC电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic。使用时,使用个人电脑
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