《来自Christine_3865的回答：》
Vcbo=30V
Vceo=25 V
Vebo=6.0V
Ic=1.5A
Pc=625 mw (pcm=3 w，结温145度)
hfe=85~300(B:85~160，C:120~200，D:160~300)
该管道与s8550配对。
《来自最后的致意的回答：》
集电极基极电压VCBO:-40V
工作温度:-55℃至150℃
8050(NPN)对面
8550三重管参数:类型:开关类型；极性:PNP材料:硅；最大集电极电流(A):0.5安；DC增益:10到60；功耗:625 mW最大集电极发射电压(VCEO):25；频率:150兆赫
PE8550硅PNP 30V 1.5A 1.1W
3DG8550硅PNP 25V 1.5A英尺=190 *K
2SC8550硅PNP 25V 1.5A英尺=190 *K
MC8550硅PNP 25V 700mA毫安200毫瓦150兆赫
CS8550硅PNP 25V 1.5A英尺=190 *K
8050S 8550S S8050 S8550参数:
耗散功率0.625瓦(贴片:0.3瓦)
集电极电流0.5A
集电极基极电压40V
集电极-发射极击穿电压25V
没有给出最小特征频率为150兆赫的典型生产商的目录。
根据三极管的后缀数，它被分为黑白文件和黑白文件。
放大系数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350
C8050 C8550参数:
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极基极电压40V
集电极-发射极击穿电压25V
特征频率fT最小为100兆赫兹，典型值为190兆赫兹。
放大系数:根据三极管的后缀数分为B、C、D文件。
放大系数b: 85-160c: 120-200d: 160-300
8050不锈钢8550不锈钢参数:
耗散功率: 1W(TA=25℃)，2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极基极电压40V
集电极-发射极击穿电压25V
特征频率fT最小值100兆赫兹
放大系数:根据三极管的后缀数分为B、C、D、D3四档。
放大系数b:85-160 c:120-200d:160-300d 3333630000-400
有EBC和欧洲央行的钉住安排。
参数:
耗散功率: 1W(TA=25℃)，2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极基极电压40V
集电极-发射极击穿电压25V
特征频率fT最小值100兆赫兹
放大倍数:根据三极管的后缀数，分为三档
放大系数b: 85-160c: 120-200d: 160-300
引脚排列主要是EBC
联合技术公司的S8050 S8550引脚阵列有EBC
欧洲央行开启8050S 8550S引脚排列
这种管子很少见。
参数:
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极基极电压30V
集电极-发射极击穿电压20V
没有给出最小特征频率为100兆赫兹的典型生产商的目录。
放大系数:根据三极管的后缀数分为C D E文件。
丙:120-200度:160-300度:280-400度
《来自不知道的回答：》
S8550和S8550D的主要参数相同。下面的字母d表示试管放大倍数β的大小。对于字母d，放大率β通常在200以上。字母越低，β越大。例如，许多S8550标记为D331，它们的β通常为200~300。这种类型的电子管通常用作电子开关，对β的要求不是很高，因此可以互换使用。它们的参数如下:BVceo=25V，Pcm=1W，Icm=1.5A它们具有相同的引脚排列。面对模型，从左到右的引脚分别是发射极、基极和集电极。
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《来自Christine_3865的回答：》
Vcbo=30V
Vceo=25 V
Vebo=6.0V
Ic=1.5A
Pc=625 mw (pcm=3 w，结温145度)
hfe=85~300(B:85~160，C:120~200，D:160~300)
该管道与s8550配对。
《来自最后的致意的回答：》
集电极基极电压VCBO:-40V
工作温度:-55℃至150℃
8050(NPN)对面
8550三重管参数:类型:开关类型；极性:PNP材料:硅；最大集电极电流(A):0.5安；DC增益:10到60；功耗:625 mW最大集电极发射电压(VCEO):25；频率:150兆赫
PE8550硅PNP 30V 1.5A 1.1W
3DG8550硅PNP 25V 1.5A英尺=190 *K
2SC8550硅PNP 25V 1.5A英尺=190 *K
MC8550硅PNP 25V 700mA毫安200毫瓦150兆赫
CS8550硅PNP 25V 1.5A英尺=190 *K
8050S 8550S S8050 S8550参数:
耗散功率0.625瓦(贴片:0.3瓦)
集电极电流0.5A
集电极基极电压40V
集电极-发射极击穿电压25V
没有给出最小特征频率为150兆赫的典型生产商的目录。
根据三极管的后缀数，它被分为黑白文件和黑白文件。
放大系数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350
C8050 C8550参数:
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极基极电压40V
集电极-发射极击穿电压25V
特征频率fT最小为100兆赫兹，典型值为190兆赫兹。
放大系数:根据三极管的后缀数分为B、C、D文件。
放大系数b: 85-160c: 120-200d: 160-300
8050不锈钢8550不锈钢参数:
耗散功率: 1W(TA=25℃)，2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极基极电压40V
集电极-发射极击穿电压25V
特征频率fT最小值100兆赫兹
放大系数:根据三极管的后缀数分为B、C、D、D3四档。
放大系数b:85-160 c:120-200d:160-300d 3333630000-400
有EBC和欧洲央行的钉住安排。
参数:
耗散功率: 1W(TA=25℃)，2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极基极电压40V
集电极-发射极击穿电压25V
特征频率fT最小值100兆赫兹
放大倍数:根据三极管的后缀数，分为三档
放大系数b: 85-160c: 120-200d: 160-300
引脚排列主要是EBC
联合技术公司的S8050 S8550引脚阵列有EBC
欧洲央行开启8050S 8550S引脚排列
这种管子很少见。
参数:
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极基极电压30V
集电极-发射极击穿电压20V
没有给出最小特征频率为100兆赫兹的典型生产商的目录。
放大系数:根据三极管的后缀数分为C D E文件。
丙:120-200度:160-300度:280-400度
《来自不知道的回答：》
S8550和S8550D的主要参数相同。下面的字母d表示试管放大倍数β的大小。对于字母d，放大率β通常在200以上。字母越低，β越大。例如，许多S8550标记为D331，它们的β通常为200~300。这种类型的电子管通常用作电子开关，对β的要求不是很高，因此可以互换使用。它们的参数如下:BVceo=25V，Pcm=1W，Icm=1.5A它们具有相同的引脚排列。面对模型，从左到右的引脚分别是发射极、基极和集电极。
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